推荐产品3推荐产品2推荐产品1
新闻内容News
器件半导体业界Fairchild推出WL-CSP封装20V P沟道MOSFET新台币同期美元2010年第三季度台湾IC产业营运成果出炉三星韩国专案韩国政府携手三星与海力士研发MRAM芯片系统可编程功能TI推出RF片上系统解决方案CC2500与CC1101汽车控制系统电子技术未来汽车竞争聚集电子系统美元盈余市况CREE三季度营收增长8.8%,年增达22.3%一个被大家忽略的问题--贴片机的气压管控问题在線求助:程式優化問題产业半导体中国LED产业民企“挑大梁”

纳米全球量产全球晶圆首度公布20纳米技术蓝图

全球晶圆(Global Foundries)于美东时间1日举行成军以来首届全球技术论坛,会中展示28纳米类比/混合讯号(AMS)生产设计流程开发套件,并推出新的28纳米HPP(High Perfoarmance Plus)技术,预计于第4季正式向客户推出,另外也首度揭示22/20纳米制程技术蓝图与时间进程,预计2013年正式进入量产。与会人士指出,全球晶圆在技术上进逼至20纳米,时程上亦与台积电甚为相近,与台积电在先进制程较劲意味浓厚。

为因应快速成长的智能型移动装置市场,全球晶圆在原本的28纳米HP(High Performance)、28纳米SLP(Super Low Power)制程外,再推出28纳米HPP(High Perfoarmance Plus)。全球晶圆指出,28纳米HPP制程预计于2011年第4季进入风险试产,该制程的产品效能将较目前28纳米HP制程高出10%。

相较于台积电采用Gate-Last技术,全球晶圆的28纳米制程主要采Gate-First技术,全球晶圆指出,目前28纳米制程已有多家客户通过矽晶验证。

在技术论坛中,全球晶圆也公布28纳米类比/混合讯号(AMS)生产设计流程开发套件。全球晶圆已经和Cadence达成合作,在2010的第3季共同推出AMS生产设计流程的主要元素,至于完整的生产级AMS流程预计在2010年第4季向客户推出,芯片验证则计画在2011年初。

全球晶圆成军以来,首度举办全球技术论坛,因此也备受外界瞩目,尤其在先进制程上的进展,更是焦点之一。不过与会人士指出,本次全球晶圆技术论坛并没有太大的惊喜,关于产能与技术蓝图与6月时在台湾记者会中公布的相去不远,显示该公司照计画运行顺利,然而特别的一点是,20纳米首次加入全球晶圆的技术蓝图之中,而在28纳米与22/20纳米量产的时间点,都与台积电近乎雷同,显示两家公司在先进制程上竞争激烈。

据了解,台积电最快将于年底前量产28纳米制程,除HP与LP制程外,亦有与赛灵思(Xilinx)合作开发的HPL(High Performance Low Power)制程。

全球晶圆指出,22/20纳米将会于2012年下半进行试产,并于2013年正式进入量产。其中,20纳米制程将会提供HP(High Performance)与SLP(Super Low Power)两种制程,其中HP制程主要应用于有线装置,SLP制程则要用于移动式装置应用。

在次世代微影技术方面,相较于台积电在深紫外光(EUV)与多重电子束两路并进,全球晶圆压宝EUV阵营,预计首台EUV机台将于2012年下半进厂,并于2014~2015年间量产。

频带耦合器功率放大器RFMD推出RF720x系列WCDMA/HSPA+功率放大器科技客户据点益登科技扩增国内及东南亚营销据点国际标准技术标准体系物联网:远水难救近火芯片通道技术IBM将摩尔定律推进到三维时代流程信号先进导向设计与验证、3D-IC设计与完善整合的DFM功能芯片终端科技联芯科技放言60%占有率 改变TD芯片格局三星平台多核三星与Sandbridge合作开发新一代LTE平台地磁模块半导体ST推出LSM303DLHC新一代地磁模块产品外设套件德州仪器为工业与高度互连的设计提供集成连接选项组合
 0.44066596031189 s