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三星东芝纳米NAND Flash再刮大风 30纳米世代竞赛起跑

全球NAND Flash需求仍相当疲弱,尽管东芝(Toshiba)宣布增产重创市场信心,然存储器业者透露,由于东芝43纳米制程NAND Flash芯片日前打入苹果(Apple)iPhone供应链,推测其增产系为苹果供货做准备,近期更需关注的是,三星电子(Samsung Electronics)除采用既有42纳米制程应战,亦开始准备最新版35纳米制程NAND Flash芯片,且已陆续送样给控制芯片厂,这不仅将对东芝和英特尔(Intel)、美光(Micron)联盟造成压力,亦将影响NAND Flash市场。

存储器业者表示,东芝决定增产,加上传出三星亦跟进,成为压垮NAND Flash市场最后一根稻草,业者预估东芝7月将全产能开出,恐对供给面不利,然东芝43纳米产品日前正式打入苹果iPhone供应链,增产部分可能是苹果专用,因此,并不用太担心会冲击市场。

值得注意的是,目前三星和东芝各以42及43纳米制程生产NAND Flash芯片,然三星已开始布局35纳米制程,且已送样给多家控制芯片厂,希望能配合加快脚步,一旦三星35纳米制程芯片量产,NAND Flash市场将进入30纳米世代。

控制芯片业者指出,尽管目前英特尔及美光阵营34纳米制程跑在前面,但因产能不多,对市场影响有限,若三星35纳米制程顺利起跑,将防止英特尔和美光阵营坐大机会。不过,三星仍应注意东芝积极开发3-bit-per-cell技术,由于三星在此方面进度始终不如东芝,恐怕市占率会再被东芝侵蚀。模块厂认为,3-bit-per-cell芯片因稳定度问题,或许不能用在固态硬碟(SSD),但绝对可用在随身碟,在成本考量下,3-bit-per-cell技术杀伤力不小。

存储器业者表示,三星35纳米制程量产后,预计伴随成本结构下降,NAND Flash价格恐将再有一波修正,主流规格将由目前16Gb向上推升到32Gb,若应用端仅限于随身碟或快闪记忆卡,恐无法消化这么高容量,可能导致价格下跌,但此亦有助于固态硬碟拉近与硬碟成本,扩大市场需求。对台系模块厂而言,亦乐见NAND Flash厂制程持续微缩,进一步带动SSD产业成长。
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